QSPICE课程演示SiC MOSFET温度效应仿真

Power Electronics News 的 QSPICE 课程第 20 期以 UF3C065030T3S 和 C2M0025120D 两款 SiC MOSFET 为例，演示如何用 SPICE 指令扫描温度，观察导通电阻 R DS(on) 与效率随温度的变化。 课程给出的仿真设置是：将 Tc 引脚接恒定电压代表壳温；若要观察不同结温下的电学表现，则给 Tj 端子加固定电压并让 Tc 端子悬空。文章强调，无论哪种方式，Tc 或 Tj 必须至少连接一个，否则模型无法工作。 文章称，分析表明温度并非简单的环境参数，而是会显著影响 SiC MOSFET 及其他元件性能的动态变量。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。