AHB反激调试：调小谐振电容提效，副边尖峰超耐压需权衡

作者Simon分享AHB不对称半桥反激电路调试经验：将谐振电容Cr从220nF减至168nF，副边硬开关改善，实测效率提升近1%；但副边电流峰值由16.8A升至18.4A、有效值9.4A，说明不能一味追求ZVS。 当副边Vds尖峰达124V、超过120V耐压时，他提出两条路径：继续减小Cr，或在Vds加RC吸收。他实测R=22Ω、C=3.3nF时效率下降0.7%，C减到1nF时下降0.3%。 Simon称两种方案都会带来效率损失，无经验值可查时需分别尝试再定；具体容值要在满足MOS耐压的前提下平衡EMI与效率，由各项目自行调整。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。