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AHB不对称半桥反激电路调试:谐振电容取值与器件应力检查
AHB不对称半桥反激电路设计(五)AHB拓扑调试与器件应力检查
AI 导读
作者在AHB不对称半桥反激电路调试中,通过调整谐振电容Cr容值改善副边硬开关,实测效率提升近1%。Cr从220nF减到168nF时副边电流峰值由16.8A升至18.4A、有效值9.4A,说明不能一味追求ZVS;副边Vds尖峰达124V超过120V耐压时,可选继续减小Cr或在Vds加RC吸收,取R=22Ω、C=3.3nF时效率下降0.7%,C减到1nF时下降0.3%。
关注价值
作者以实测波形记录谐振电容取值对副边ZVS、电流应力和效率的影响,可供电源调试时参考取舍。
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