SemiQ发布第四代750V与1200V SiC MOSFET
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SemiQ发布第四代750V与1200V SiC MOSFET
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SemiQ 发布第四代 QSiC 碳化硅功率器件，包括 1200 V 和 750 V 的 MOSFET 及裸片，已可购买。 据 SemiQ 公布的数据，1200 V 器件的导通电阻从 14 mΩ 降至 11 mΩ，总开关能量从 1,677 µJ 降至 1,491 µJ，裸片尺寸保持 5 × 5 mm；750 V 器件的导通电阻为 9 mΩ，总开关能量为 871 µJ。产品采用四引脚 TO-247-4L 封装或裸片形式供货，面向电动汽车充电、光伏逆变器和开关电源等应用。 SemiQ 还计划在 11 月 10 日至 13 日举行的 Electronica 2026 展会上，于 Alfatec 的 A6.620 展位展示该系列产品。
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最新进展10月30日 21:00
SemiQ发布750 V与1200 V Gen4 SiC MOSFET报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月30日
- Power Electronics NewsSemiQ发布750 V与1200 V Gen4 SiC MOSFET
SemiQ发布第四代QSiC碳化硅功率器件，包含1200 V与750 V MOSFET及裸片。1200 V器件导通电阻由14 mΩ降至11 mΩ，总开关能量由1,677 µJ降至1,491 µJ，裸片尺寸维持5 × 5 mm；750 V器件导通电阻9 mΩ、总开关能量871 µJ。产品采用四引脚TO-247-4L封装或裸片供货，已可购买，面向电动汽车充电、光伏逆变器与开关电源等应用。
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