SemiQ发布750 V与1200 V Gen4 SiC MOSFET

SemiQ发布第四代QSiC碳化硅功率器件，包含1200 V与750 V MOSFET及裸片。1200 V器件导通电阻由14 mΩ降至11 mΩ，总开关能量由1,677 µJ降至1,491 µJ，裸片尺寸维持5 × 5 mm；750 V器件导通电阻9 mΩ、总开关能量871 µJ。产品采用四引脚TO-247-4L封装或裸片供货，已可购买，面向电动汽车充电、光伏逆变器与开关电源等应用。