Nexperia扩充GaN与SiC功率器件产品线
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Nexperia扩充GaN与SiC功率器件产品线
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AI 综述
Nexperia扩充氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体产品组合，新增超低导通电阻GaN FET和750 V SiC沟槽MOSFET。 GaN方面，旗舰型号GANE0R8-100QTM为100 V器件，典型导通电阻0.75 mΩ，采用3 mm×5 mm PQFN封装；该型号与另外五款25 V至200 V产品现已供货，导通电阻最低至0.37 mΩ。另有包括18 V GANE0R3-015QTL（典型导通电阻0.32 mΩ）在内的两款器件计划于2027年第一季度推出。 750 V SiC器件现已供货，提供工业和通过AEC-Q101认证的汽车版本。
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最新进展11月11日 19:00
Nexperia扩展GaN与SiC功率器件产品线报道时间线
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11月11日
- Power Electronics News精选Nexperia扩展GaN与SiC功率器件产品线
Nexperia扩充氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体产品组合，新增覆盖18 V至200 V的超低导通电阻GaN FET和750 V SiC沟道MOSFET。
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