Power Electronics News· Christa Paul·· 10 小时前精选
Nexperia扩展GaN与SiC功率器件产品线
Nexperia Adds GaN and SiC Devices for High-Efficiency Power Conversion
AI 导读
Nexperia扩充氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体产品组合，新增覆盖18 V至200 V的超低导通电阻GaN FET和750 V SiC沟道MOSFET。
关注价值
原文列出GaN FET与750V SiC MOSFET的电压范围、封装和上市节奏，可对照现有电源与驱动设计选型。
来源：Power Electronics News · powerelectronicsnews.com