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英飞凌投11亿欧元在奥地利建300mm GaN量产厂

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英飞凌计划投资约11亿欧元,在奥地利菲拉赫工厂建设其称为全球首座300mm晶圆车规级氮化镓(GaN)功率半导体量产厂,预计2027年底前投产,投资持续至2034年。 该项目获欧盟委员会依据《欧洲芯片法案》批准的3.19亿欧元国家援助,但奥地利联邦经济、能源与旅游部的正式资金批准仍在等待中。英飞凌称2024年已成功加工首批300mm GaN晶圆,每片晶圆可产出约2.3倍于传统200mm工艺的芯片。

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10月27日
  1. eeNews Europe元器件动态精选
    英飞凌投资约11亿欧元在奥地利建设300mm GaN功率半导体量产线

    英飞凌计划投资约11亿欧元,在奥地利菲拉赫工厂建设其称为全球首座300mm晶圆车规级氮化镓(GaN)功率半导体量产厂,预计2027年底前投产,投资持续至2034年。该项目获欧盟委员会依据《欧洲芯片法案》批准的3.19亿欧元国家援助,奥地利联邦经济、能源与旅游部的正式资金批准仍在等待中。英飞凌称2024年已成功加工首批300mm GaN晶圆,每片晶圆可产出约2.3倍于传统200mm工艺的芯片。

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