英飞凌投资约11亿欧元在奥地利建设300mm GaN功率半导体量产线

英飞凌计划投资约11亿欧元，在奥地利菲拉赫工厂建设其称为全球首座300mm晶圆车规级氮化镓（GaN）功率半导体量产厂，预计2027年底前投产，投资持续至2034年。该项目获欧盟委员会依据《欧洲芯片法案》批准的3.19亿欧元国家援助，奥地利联邦经济、能源与旅游部的正式资金批准仍在等待中。英飞凌称2024年已成功加工首批300mm GaN晶圆，每片晶圆可产出约2.3倍于传统200mm工艺的芯片。