Renesas推出双面散热650V GaN FET
热点事件持续更新
Renesas推出双面散热650V GaN FET
1 篇报道1 个报道来源21 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
Renesas 推出一款双面散热的 650V GaN FET，采用 8x8 mm 封装，导通电阻 20 mΩ，面向 800V AI 机架架构中的高功率密度转换级。 该器件两侧均可散热，Renesas 将其定位用于 800V AI 机架架构的功率转换环节。
AI 根据报道生成 · 3 小时前更新
最新进展10月12日 19:00
Renesas 推出双面散热 650V GaN FET，面向 800V 数据中心报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- Electronics-Lab元器件与开发板Renesas 推出双面散热 650V GaN FET，面向 800V 数据中心
Renesas 推出双面散热 650V GaN FET，采用 8x8 mm 封装，导通电阻 20 mΩ，面向 800V AI 机架架构的高功率密度转换级。
本事件热度走势
还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。