Electronics-Lab元器件与开发板· Electronics-Lab Staff·2026-10-12 19:00· 22 小时前

Renesas 推出双面散热 650V GaN FET，面向 800V 数据中心

Renesas Debuts Dual-Side-Cooled 650V GaN FET for 800V Data Centers

AI 导读

Renesas 推出双面散热 650V GaN FET，采用 8x8 mm 封装，导通电阻 20 mΩ，面向 800V AI 机架架构的高功率密度转换级。