东南大学与CorEnergy提出GaN二极管与HEMT单片集成方案

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心与CorEnergy半导体公司提出一种AlGaN/GaN场效应肖特基势垒二极管（FESBD）与MIS-HEMT的单片集成方案：MIS-HEMT生长于FESBD层之上，第三象限反向导通时形成三条并联2-DEG沟道。 研究称，采用多沟道FESBD后，第三象限导通电压V R_F降至1.55 V，改善41%，该模式下导通电阻也相应降低；集成器件击穿电压提升至860 V。研究还称，加入FESBD不影响MIS-HEMT的正向特性，如阈值电压和导通电阻。 该研究采用的结构参数为D ch1 = 0.3 µm、d = 0，肖特基金属功函数为6.35 eV。

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