东南大学与CorEnergy提出AlGaN/GaN二极管与晶体管单片集成方案

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心与CorEnergy半导体公司提出一种AlGaN/GaN场效应肖特基势垒二极管（FESBD）与MIS-HEMT的单片集成方案，MIS-HEMT生长于FESBD层之上，第三象限反向导通时形成三条并联2-DEG沟道以降低导通电阻。