Power Electronics News发布SiC与GaN转换器EMI排查指南
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Power Electronics News发布SiC与GaN转换器EMI排查指南
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AI 综述
Power Electronics News 刊文介绍 SiC 与 GaN 电源转换器的 EMI 排查方法，主张先把频谱特征对应到开关瞬态，再追踪噪声传播路径。 文章指出，纳秒级开关使寄生电感电容成为高频噪声通道，数十或数百 kHz 的开关频率仍可产生数十至数百 MHz 噪声；文章还提醒差分探头在高频下可能失真，应先排除测量误差再改设计。
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最新进展10月21日 19:00
SiC 与 GaN 电源转换器的 EMI 排查方法报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- Power Electronics News精选SiC 与 GaN 电源转换器的 EMI 排查方法
Power Electronics News 刊文介绍 SiC 与 GaN 转换器的 EMI 排查方法，主张先把频谱特征对应到开关瞬态，再追踪噪声传播路径。文章指出纳秒级开关使寄生电感电容成为高频噪声通道，数十或数百 kHz 开关频率仍可产生数十至数百 MHz 噪声，并提醒差分探头在高频下可能失真，需先排除测量误差再改设计。
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