SiC 与 GaN 电源转换器的 EMI 排查方法

Power Electronics News 刊文介绍 SiC 与 GaN 转换器的 EMI 排查方法，主张先把频谱特征对应到开关瞬态，再追踪噪声传播路径。文章指出纳秒级开关使寄生电感电容成为高频噪声通道，数十或数百 kHz 开关频率仍可产生数十至数百 MHz 噪声，并提醒差分探头在高频下可能失真，需先排除测量误差再改设计。