Navitas推出2300V SiC全桥功率模块
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Navitas推出2300V SiC全桥功率模块
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Navitas Semiconductor推出G4H08MT23GB4系列2300V碳化硅全桥功率模块，采用SiCPAK封装，导通电阻8mΩ，基于第四代GeneSiC TAP技术，面向固态变压器、电网级储能、太阳能逆变器、AI数据中心和兆瓦级电动汽车充电等能量转换场景，用于提升效率和功率密度。 G4H08MT23GB4(HC)系列样品已可立即提供，含大电流版本和预涂TIM选项；工程师还可申请EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1双脉冲测试系统评估开关性能。该系列计划按Navitas的AEC-Plus可靠性基准进行认证，该基准的测试范围超出AEC-Q101和JEDEC要求。
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最新进展10月22日 23:00
Navitas 推出面向电网基础设施的 2300 V SiC 全桥功率模块 G4H08MT23GB4报道时间线
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10月22日
- Power Electronics NewsNavitas 推出面向电网基础设施的 2300 V SiC 全桥功率模块 G4H08MT23GB4
Navitas 推出 G4H08MT23GB4 系列 2300 V 碳化硅全桥功率模块，采用 SiCPAK 封装，导通电阻 8 mΩ，基于第四代 GeneSiC TAP 技术。
- Electronics For YouNavitas 推出 2300V SiC 全桥功率模块 G4H08MT23GB4，导通电阻 8mΩ
Navitas Semiconductor 推出 2300V 碳化硅全桥功率模块 G4H08MT23GB4，导通电阻 8mΩ，采用第四代 GeneSiC TAP 技术降低导通损耗。
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