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Navitas 推出 2300V SiC 全桥功率模块 G4H08MT23GB4，导通电阻 8mΩ
2300V SiC Power Module Improves Efficiency
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Navitas Semiconductor 推出 2300V 碳化硅全桥功率模块 G4H08MT23GB4，导通电阻 8mΩ，采用第四代 GeneSiC TAP 技术降低导通损耗。
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