onsemi发布第四代碳化硅平台EliteSiC M4
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onsemi发布第四代碳化硅平台EliteSiC M4
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onsemi发布第四代碳化硅（SiC）平台EliteSiC M4，采用沟槽结构。onsemi称，该平台功率密度较上代提升最高30%、损耗降低35%，比导通电阻RSP降低20%至50%，硬开关与软开关优值分别改善67%和50%，支持185°C及以上工作温度。 首款产品为面向车用牵引逆变器的750 V裸片，已可供货；最高1200 V的器件预计从2027年起推出。
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最新进展11月12日 18:19
onsemi 发布 EliteSiC M4 碳化硅平台报道时间线
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11月12日
- Power Electronics News精选onsemi 发布 EliteSiC M4 碳化硅平台
onsemi 发布第四代碳化硅平台 EliteSiC M4，采用沟槽结构，功率密度较上代提升最高 30%、损耗降低 35%。该平台比导通电阻 RSP 降低 20% 至 50%，硬开关与软开关优值分别改善 67% 和 50%，支持 185°C 及以上工作温度。首款产品为面向车用牵引逆变器的 750 V 裸片，已可供货，最高 1200 V 的器件预计从 2027 年起推出。
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