onsemi 发布 EliteSiC M4 碳化硅平台

onsemi 发布第四代碳化硅平台 EliteSiC M4，采用沟槽结构，功率密度较上代提升最高 30%、损耗降低 35%。该平台比导通电阻 RSP 降低 20% 至 50%，硬开关与软开关优值分别改善 67% 和 50%，支持 185°C 及以上工作温度。首款产品为面向车用牵引逆变器的 750 V 裸片，已可供货，最高 1200 V 的器件预计从 2027 年起推出。