EDN电子设计与元器件· Susan Nordyk·· 3 小时前精选
SemiQ 推出 750V 与 1200V Gen4 QSiC MOSFET
SiC MOSFETs cut switching losses and resistance
AI 导读
SemiQ 推出 750V 和 1200V Gen4 QSiC MOSFET，称相较 Gen3 导通电阻降低 21%、开关能量降低 11%。750V 型号 GP4T009A075 导通电阻为 9 mΩ，1200V 型号 GP4T011A120 为 11 mΩ，提供 TO-247-4L 封装和裸片，四个料号均已上市。
关注价值
原文给出Gen4相对Gen3的导通电阻与开关能量降幅及封装选项，可对照现有电源设计的器件选型。
来源：EDN电子设计与元器件 · edn.com