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电子产品世界·电源与驱动·· 3 小时前精选

详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用:死区时间控制及损耗优化方法

详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用:死区时间控制及损耗优化方法-2

AI 导读

一篇应用笔记详解共源共栅碳化硅 JFET(CJFET)用于 LLC 谐振变换器时,外部 Cds 对死区时间要求和功率损耗的影响。以 NTBT023N075CJ4 为例,开关电流 10 A、外加 220 pF Cds 时约 35 ns 过渡时间即可维持 ZVS,测试环境采用 75 ns 死区时间留出时序裕量。

关注价值

以 NTBT023N075CJ4 为例给出外加 Cds 与死区时间的对应关系,并说明缓冲电容如何分流关断电流以降低损耗。

来源:电子产品世界·电源与驱动 · eepw.com.cn