Cascode SiC JFET 用于 LLC 的 dv/dt 控制方案
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Cascode SiC JFET 用于 LLC 的 dv/dt 控制方案
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AI 综述
电子产品世界·电源与驱动刊文分析 Cascode SiC JFET（CJFET）在 LLC 谐振变换器初级侧的优势，并指出其关断时的高 dv/dt 会引发振铃、过压与 EMI。作者提出在漏源间并联纯电容缓冲电路（C-snubber）来限制 dv/dt，并给出 dv/dt 与开关电流成正比的估算公式。 文章给出的取舍条件是：若综合 Vds 过冲、振荡倾向与 EMI 后认为该 dv/dt 可接受，正常工作时无需外加 Cds；若设计阶段无法排除大电流开关工况，则建议增加 Cds 缓冲电路；若要求 dv/dt 控制在 20 V/ns 或更低，应选用 100 pF 或更大容值的 Cds。上述条件均为文章作者提出的设计建议。
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最新进展10月30日 15:38
详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用：优势与 dv/dt 控制报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月30日
- 电子产品世界·电源与驱动精选详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用：优势与 dv/dt 控制
文章分析 Cascode SiC JFET（CJFET）在 LLC 谐振变换器初级侧的优势，并指出其关断时高 dv/dt 会引发振铃、过压与 EMI。作者提出在漏源间并联纯电容缓冲电路（C-snubber）控制 dv/dt，并给出 dv/dt 与开关电流成正比的估算公式。
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