Power Electronics News· Aalyia Shaukat·· 6 小时前精选
瑞萨发布 650-V 双面散热 GaN FET，面向 800-V AI 数据中心
Dual-Side Cooling Comes to 650-V GaN for 800-V AI Data Centers
AI 导读
瑞萨电子发布基于 Gen 4+ 技术的 650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用 8×8 mm 双面散热 PQFN 封装，型号 TP65H020G4PLSGBD，现已向 AI 数据中心 OEM 和 ODM 送样，计划 2027 年中量产。
关注价值
原文给出封装尺寸、热阻与效率对比数据，可据此判断双面散热 GaN 在 800 V 数据中心电源中的适配空间。
来源：Power Electronics News · powerelectronicsnews.com