SiC MOSFET额定电流参数解析
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SiC MOSFET额定电流参数解析
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AI 综述
电子产品世界发布技术解析文章，指出SiC MOSFET数据手册中的额定直流电流IDDC是按壳温恒定、结温升至最大值反推的计算值，并非实测值，因此不同厂家的IDDC不能直接横向比较。 文章以IMZA120R034M2H为例：壳温25℃时IDDC为55A，壳温升至100℃时总功耗Ptot降至122W。英飞凌采用最大热阻Rth(j-c),max计算，与典型值相差约30%，这是厂家间IDDC不可直接对比的原因之一。
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最新进展10月28日 16:19
如何理解SiC MOSFET数据手册中的额定直流电流IDDC与峰值电流IDM报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月28日
- 电子产品世界·电源与驱动精选如何理解SiC MOSFET数据手册中的额定直流电流IDDC与峰值电流IDM
文章解析SiC MOSFET数据手册中额定直流电流IDDC与峰值电流IDM的含义，指出IDDC是按壳温恒定、结温升至Tvj(max)反推的计算值，并非实测值。以IMZA120R034M2H为例，TC=25℃时IDDC为55A，TC=100℃时Ptot降至122W；英飞凌采用最大热阻Rth(j-c),max计算，与典型值相差约30%，因此不同厂家IDDC不能直接横向比较。
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