KAIST用导电MOF制可调栅电极并完成验证
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KAIST用导电MOF制可调栅电极并完成验证
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AI 综述
韩国科学技术院(KAIST)联合韩国多所高校,用导电金属有机框架(MOF)制成可调栅电极,并在三种半导体材料的场效应晶体管上完成验证,测试中性能与传统金属栅极相当。 研究团队使用的铜基MOF为Cu₃(C₆O₆)₂,实测功函数4.51 eV,落在n型与p型半导体典型值之间,因此同一电极材料可同时控制两类晶体管沟道。团队还在单块衬底上制作23个IGZO晶体管阵列,演示了制造可行性。 研究团队称,后续工作将评估这种可调特性能否带来实际功耗节省,并改进图案精度、大面积均匀性、制造可重复性和长期可靠性。
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最新进展10月27日 13:27
KAIST 研发导电 MOF 可调栅电极,瞄准低功耗电子器件报道时间线
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10月27日
- Electronics For YouKAIST 研发导电 MOF 可调栅电极,瞄准低功耗电子器件
韩国科学技术院(KAIST)联合韩国多所高校,用导电金属有机框架(MOF)制成可调栅电极,并在三种半导体材料的场效应晶体管上完成验证。铜基 MOF Cu₃(C₆O₆)₂ 的功函数实测为 4.51 eV,落在 n 型与 p 型半导体典型值之间,同一电极材料可同时控制两类晶体管沟道。
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