意法半导体推出MasterGaN7集成GaN器件

意法半导体扩充MasterGaN集成晶体管与驱动器产品阵容，推出MasterGaN7集成功率器件，内置额定最大电流6A的650V增强型GaN晶体管，现已量产。 该器件将两个650V GaN晶体管以半桥方式连接，与高压高频栅极驱动器集成于9mm×9mm QFN封装，传播延迟45ns，开关频率最高可达2MHz，工作温度范围-40°C至125°C。 配套的EVLMG7评估板已在意法半导体eStore商城上线，用于帮助设计人员完成硬件搭建并启动开发。

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