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EPC2361 GaN FET进入ADI 4kW参考设计

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AI 综述

EPC宣布,其EPC2361增强型GaN FET已被用于ADI的4 kW升降压转换器参考设计EVAL-LT7930-AZ,该平台将ADI的LT7930控制器与EPC的100 V GaN晶体管组合在一起。 该参考设计采用双相交错升降压拓扑,输入电压为36 V至65 V,输出48 V,输出功率最高4 kW;EPC称,在36 V和48 V输入下典型转换效率达98.5%,在65 V输入下达98.8%。评估平台将EPC2361的死区时间设为10 ns,以兼顾开关行为与反向导通损耗。 EPC2361通过EPC的全球分销网络供货,包括Digi-Key和Mouser。

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10月21日
  1. Power Electronics News精选
    EPC2361 GaN FET 用于 ADI 4 kW 升降压转换器参考设计

    EPC 宣布其 EPC2361 增强型 GaN FET 被用于 ADI 的 4 kW 升降压转换器参考设计 EVAL-LT7930-AZ,该平台结合 ADI 的 LT7930 控制器与 EPC 的 100 V GaN 晶体管。

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