跳到正文
电子产品世界·电源与驱动·· 2 小时前精选

安世半导体推出750V沟槽型SiC MOSFET系列并扩充GaN FET产品线

安世半导体扩充碳化硅功率半导体产品阵容,推出750V 沟槽型 MOSFET 系列

AI 导读

安世半导体扩充碳化硅功率半导体产品阵容,推出面向工业与汽车领域的750V沟槽型MOSFET系列,并提供TOLL等封装选项。该系列中TOLL封装型号NSF020750LLB0在25℃下漏极电流额定90A、100℃下63A,栅源电压18V、漏极电流30A、结温25℃条件下最大导通电阻27mΩ。

关注价值

原文给出750V SiC MOSFET的封装选项与NSF020750LLB0的电流、导通电阻参数,可据此判断器件是否适配功率变换设计。

来源:电子产品世界·电源与驱动 · eepw.com.cn