意法半导体推出 MasterGaN7 集成 GaN 半桥器件

意法半导体扩充 MasterGaN 产品阵容，推出内置 650V、6A 增强型 GaN 晶体管的 MasterGaN7。该器件将两个 650V GaN 晶体管以半桥方式与高压高频栅极驱动器集成于 9mm × 9mm QFN 封装，开关频率最高可达 2MHz，传播延迟 45ns，面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用。